Новосибирские физики разработали самую быструю в мире флешку

Работники Института физики полупроводников СО РАН разработали устройство для хранения информации, используя мультиграфен, что сделал его самой быстрой флешкой в мире. Ее принцип действия основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде. Согласно результатам исследований, новая флеш-карта по быстродействию и времени хранения данных может превосходить аналоги. «1-ый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости», — повествует Наука в Сибири.

Ученые отмечают, что мультиграфен дает возможность дольше хранить заряд, а значит, и записанную информацию, чем традиционно используемый кремний. Для таких устройств нужен тонкий туннельный слой, который увеличивает быстродействие в два-три раза.

Ученые разработали опытные образцы, однако говориться о масштабном производстве графеновой флеш-памяти пока рано, отмечают они. Для коммерческого использования требуется завод с современными разработками стоимостью около $5 млрд, сообщил старший научный сотрудник Института Юрий Новиков.