IBM уменьшит длину транзисторов вдвое

Компания IBM, известная по созданию первого в мире 7-нанометрового чипа, объявила об следующем достижении в полупроводниковой области.

Организациям IBM, Globalfoundries и Самсунг, входящим в объединение Research Alliance, при помощи поставщиков оборудования удалось создать 1-ый в ветви техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния.

Еще в этом году компания представила тестовый 7 нм транзистор, и тестовый чип размером с ноготь вмещающий 20 млрд транзисторов. Американский ИТ-гигант анонсировал 1-ый в области транзистор для 5-нанометровых микросхем.

Новый процессор от IBM увеличит работоспособность девайсов на 40% с применением того же уровня энергопотребления либо оставит ту же работоспособность, использовав только четверть мощности.

На текущий момент длина серийных продвинутых транзисторов доходит 10 нм, в то время как обычная длина 14 нм, а компания IBM желает уменьшить их длину в половину и сделать чип размером с ноготь, на который можно поместить 30 млрд. транзисторов, что даст существенный прирост в эффективности. Технология FinFET имеется в 22 и 14-нм полупроводниках и вероятно останется в 7-нм чипах, но полупроводниковая отрасль все дальше отходит от данной технологии, так как не способна масштабироваться геометрически. Начать серийное производство 5-нм чипов планируется в 2020.

В первый раз в истории был создан рабочий образец чипа с транзисторами в 5 нанометров.

Forbes отмечает, что IBM больше не занимается производством процессоров, в отличие от партнеров компании — GlobalFoundries и Самсунг, у которых есть лицензия на изготовление продуктов на основе 5-нм технологического процесса.