Самсунг начала производство модулей памяти для мобильных устройств на 512 Гбайт

В дополнение к смартфонам Самсунг планирует использовать новые чипы в SSD и картах памяти. И это не рубеж — Самсунг анонсировала старт производства флэш-памяти для телефонов будущего поколения объемом 512 гигабайт. Разница внутри — новые памяти были построены с 64-слойных чипов, в то время как старшие использовали 48-слойных микросхемы. Обеспечив ранние и стабильные поставки свежей памяти, Самсунг сделала большой шаг к выпуску мобильных устройств обновленного поколения по всей планете.

Объём 512 ГБ даст возможность хранить на мобильном устройстве около 130 видеороликов длительностью 10 мин. каждый в разрешении Ultra HD (3840х2160 точек).

Чтобы максимально поднять показатели производительности и энергоэффективности новоиспеченной памяти 512 ГБ eUFS, компания Самсунг внедрила новый набор собственных технологий. Кроме того, чип контроллера 512 ГБ eUFS ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Новый модуль памяти вдвое превосходит параметры 256-гигабайтных модулей. Состоящая из 8-ми 64-слойных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, все они собраны совместно, новая 512-битная UFS от Самсунг удваивает плотность прошлых 48-уровневых 512-дюймовых eUFS на базе V-NAND от Самсунг на том же объеме, что и 256 ГБ пакет. Скорость в 8 раз выше, чем на обыденных картах microSD. Объём флеш-накопителя равен 512 ГБ.