Самсунг и Qualcomm расширили сотрудничество в сфере микроэлектронного производства

О характеристиках CPU и GPU новейшей SoC официальные представители фирмы пока сообщать не стали.

Производитель чипов Qualcomm объединит усилия с компанией Самсунг с целью создания нового флагманского мобильного процессора Snapdragon 835 на базе техпроцесса Самсунг 10-нм FinFET. Если быть точным, то размещенный пресс-релиз, по сути, является даже не анонсом свежей платформы, а анонсом сотрудничества Qualcomm и Самсунг. Правда, пока это скорее «бумажный» анонс, так как наверное всем известно крайне мало.

Qualcomm Snapdragon 835 будет первой в мире аппаратной платформой с поддержкой технологии Quick Charge 4, отличающейся на 30% не менее быстрой зарядкой в сравнении с предшествующей Quick Charge 3 благодаря применению параллельной двойной зарядки. Увы, каким именно будет этот прирост производитель пока не говорит. «Эффективность использования площади» кристалла возросла на 30%, работоспособность можно увеличивать на 27%, а уровень энергопотребления — снизить на 40%. Производитель обещает, что всего 5-ти мин. зарядки будет довольно, чтобы получить пять часов работы устройства, что на 20% скорее и на 30% действеннее в сравнении с Quick Charge 3.0.

Новый тип фирменной технологии быстрой зарядки Qualcomm призвано еще сильнее ускорить процесс зарядки, обеспечить совместимость с максимально широким перечнем кабелей, зарядных устройств и аксессуаров и повысить безопасность. В частности, батарея ёмкостью 2750 мА•ч способна набрать половину заряда за 15 мин. при температуре не выше 40 градусов Цельсия.

В отличие от последнего, версия 4.0 на 100% совместима с протоколами USB типа C, в том числе USB Power Delivery и новыми спецификациями Google. Кроме того, в Quick Charge 4.0 предусмотрена защита от перезарядки.